CUNZ發(fā)生器產(chǎn)品介紹：
直流和交流電流傳感器別名霍爾發(fā)電機技術(shù)，非接觸式，電流，響應時間，帶或不帶輸出放大，電流范圍 0 - 3000 A，頻率范圍 0 - 200 kHz。
霍爾效應原理：
HX傳感器的核心是一個霍爾效應發(fā)生器。1879年，EdwardH.Hall發(fā)現(xiàn)了霍爾效應，在電流流經(jīng)一片薄傳導材料(霍爾發(fā)生器)，并放在正交磁場中時，會發(fā)生這種效應。然后電磁洛倫茲力將感應電子，根據(jù)性流到薄片邊緣。
在這兩個邊緣之間產(chǎn)生的霍爾電壓VH與控制電流IC和磁通量B直接成正比(圖1)。霍爾發(fā)生器由一片薄傳導材料制成，如砷化物(GaAs)，這種材料在使用期間能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的性能。在5mA的控制電流下，獲得的霍爾電壓約為1.25mV/mT。
霍爾效應開環(huán)電流測量
電流產(chǎn)生的磁場會在磁性電路的間隙中生成線性磁通量B，磁通量B會在霍爾發(fā)生器中感應成比例的霍爾電壓VH。然后這個電壓被電子電路放大，得到一個與電流成比例的輸出模擬信號。HX系列可以測量DC電流和AC電流，以及相控整流器、有源電源轉(zhuǎn)換器、PWM轉(zhuǎn)換器和開關式電源中復雜的電流波形。輸出電壓一直是電流的真映像。
抗dv/dt噪聲能力
在設計驅(qū)動器控制和開關設備時，工程師遇到的其中一個問題是整流期間電壓變化導致的高dv/dt噪聲。
電源半導體技術(shù)一直在不斷發(fā)展。現(xiàn)在，許多半導體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此，當前通用逆電器一般會以很高的開關頻率工作，通常在20kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更、效率更高。
開關設備每次開關時產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數(shù)模擬線性放大器對這種寄生電流很靈敏。因此，dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號上。根據(jù)變動電壓的幅度和斜坡，初始和后來的振蕩有時會非常高，以致它們會激活傳感器的電流保護電路，進而使逆電器暫停運轉(zhuǎn)。LEM的經(jīng)驗在HX系列設計階段幫助了對關鍵噪聲的，而又不會損害帶寬，因此HX的性能要過其它類似的傳感器(圖2和圖3)。
對階躍電流的響應時間對IGBT短路保護必。HX系列可以以50A/ms以上的速度，準確追蹤電流變化，對階躍電流的響應為3ms。
CUNZ發(fā)生器技術(shù)參數(shù)：
6 個測量范圍：3 G 到 300 kG
頻率：DC至20KHz
溫度補償探頭
設備精度：±0.25%（直流）
以 G、T、mA/m、oC 顯示
輸出：±3V、10mV/oC、RS-232
其他貝爾探頭的探頭適配器
產(chǎn)品型號：
CUNZ霍爾發(fā)生器型號 6010
CUNZ霍爾發(fā)生器型號 5100
CUNZ霍爾發(fā)生器型號系列 ELF-4000
CUNZ霍爾發(fā)生器的應用：
用于測量技術(shù)、控制技術(shù)、自動化技術(shù)和汽車應用。材料由銻化銦（InSb）、砷化銦（InAs）和（GaAs）組成。
86-0411-87187730
86-0411-87317760
